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2N6387G

2N6387G

僅供參考

型號 2N6387G
PNEDA編號 2N6387G
描述 TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 11 - 三月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6387G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6387G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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PDF2N6387數據表 封面
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2N6387G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 100mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 3V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

330mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 10V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 1V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 20mA, 10V

功率-最大

15W

頻率-過渡

15MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-225AA

NJVMJD122T4G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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