2N6673
僅供參考
| 型號 | 2N6673 | ||||||||||||||||||
| PNEDA編號 | 2N6673 | ||||||||||||||||||
| 描述 | PNP TRANSISTOR | ||||||||||||||||||
| 制造商 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 單價 |
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| 庫存 | 469 | ||||||||||||||||||
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 預計交貨 | 二月 23 - 二月 28 (選擇加急運輸) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* | ||||||||||||||||||
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2N6673資源
| 品牌 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | 2N6673 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-單 |
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2N6673規格
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 系列 | * |
| 晶體管類型 | - |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | - |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | - |
| Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | - |
| 當前-集電極截止（最大值） | - |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | - |
| 功率-最大 | - |
| 頻率-過渡 | - |
| 工作溫度 | - |
| 安裝類型 | - |
| 包裝/箱 | - |
| 供應商設備包裝 | - |
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制造商 Microsemi Corporation 系列 * 晶體管類型 - 當前-集電極（Ic）（最大值） - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce - 功率-最大 - 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 - 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 200V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 400mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 30mA, 10V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
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