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2N6719

2N6719

僅供參考

型號 2N6719
PNEDA編號 2N6719
描述 NPN HIGH VOLTAGE POWER 300V
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6719資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6719
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N6719規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大2W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-237AA
供應商設備包裝TO-237

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.8V @ 1A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

45 @ 2A, 1V

功率-最大

15W

頻率-過渡

65MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 2A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10A, 4V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 600mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 5V

功率-最大

30W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 2A, 3V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

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