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2N7002DW

2N7002DW

僅供參考

型號 2N7002DW
PNEDA編號 2N7002DW
描述 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 743,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7002DW資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7002DW
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
2N7002DW, 2N7002DW數據表 (總頁數: 6, 大小: 257.36 KB)
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2N7002DW規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)115mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
功率-最大200mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 6V

功率-最大

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