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2N7002LT1G

2N7002LT1G 2N7002LT1G

僅供參考

型號 2N7002LT1G
PNEDA編號 2N7002LT1G
描述 MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
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庫存 13,917,288
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7002LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7002LT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2N7002LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)115mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)225mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

135V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

129A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 77A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9700pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

441W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO220-3

包裝/箱

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9130pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

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Vgs(最大)

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