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2N7334

2N7334

僅供參考

型號 2N7334
PNEDA編號 2N7334
描述 MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 16 - 十一月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N7334資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N7334
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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2N7334規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A
Rds On(Max)@ Id,Vgs700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝MO-036AB

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7220pF @ 25V

功率-最大

390W

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

功率-最大

208W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs(th)(最大)@ ID

380mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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