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2SA1020-O,F(J

2SA1020-O,F(J

僅供參考

型號 2SA1020-O,F(J
PNEDA編號 2SA1020-O-F-J
描述 TRANS PNP 2A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,840
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 24 - 四月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1020-O資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1020-O,F(J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1020-O, 2SA1020-O數據表 (總頁數: 5, 大小: 168.44 KB)
PDF2SA1020-Y數據表 封面
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2SA1020-O規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 2V

功率-最大

25W

頻率-過渡

-

工作溫度

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50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

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100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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