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2SA1708T-YMH-AN

2SA1708T-YMH-AN

僅供參考

型號 2SA1708T-YMH-AN
PNEDA編號 2SA1708T-YMH-AN
描述 TRANS BIPO NMP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1708T-YMH-AN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1708T-YMH-AN
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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2SA1708T-YMH-AN規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 40mA, 400mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡120MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-71
供應商設備包裝3-NMP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 1V / 80 @ 1mA, 1V

功率-最大

50mW

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 25mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 100mA, 2V

功率-最大

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz, 190MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

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