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2SA1770T-AN

2SA1770T-AN

僅供參考

型號 2SA1770T-AN
PNEDA編號 2SA1770T-AN
描述 TRANS PNP 160V 1.5A NMP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1770T-AN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1770T-AN
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1770T-AN, 2SA1770T-AN數據表 (總頁數: 7, 大小: 603.78 KB)
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2SA1770T-AN規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SC-71
供應商設備包裝3-NMP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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600mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

280MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 300mV

功率-最大

350mW

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 4mA, 2V

功率-最大

150mW

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