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2SA1837,HFEYHF(M

2SA1837,HFEYHF(M

僅供參考

型號 2SA1837,HFEYHF(M
PNEDA編號 2SA1837-HFEYHF-M
描述 TRANS PNP 1A 230V TO220-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1837資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1837,HFEYHF(M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1837, 2SA1837數據表 (總頁數: 4, 大小: 135.05 KB)
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2SA1837規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)230V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 5V
功率-最大2W
頻率-過渡70MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220NIS

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 2mA, 4.5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

290mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2A, 2V

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100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 2mA, 4.5V

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