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2SA1931,NETQ(M

2SA1931,NETQ(M

僅供參考

型號 2SA1931,NETQ(M
PNEDA編號 2SA1931-NETQ-M
描述 TRANS PNP 5A 50V TO220-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1931資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1931,NETQ(M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1931, 2SA1931數據表 (總頁數: 4, 大小: 145.74 KB)
PDF2SA1931數據表 封面
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2SA1931規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1A, 1V
功率-最大2W
頻率-過渡60MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220NIS

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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