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2SA1977-T1B-A

2SA1977-T1B-A

僅供參考

型號 2SA1977-T1B-A
PNEDA編號 2SA1977-T1B-A
描述 RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1977-T1B-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1977-T1B-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2SA1977-T1B-A, 2SA1977-T1B-A數據表 (總頁數: 12, 大小: 2,433.78 KB)
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2SA1977-T1B-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡8.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.5dB @ 1GHz
增益12dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 20mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

11dB

功率-最大

180mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

-

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

13.5dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

SOT-343F

62012T

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系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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