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2SA1978-T1B-A

2SA1978-T1B-A

僅供參考

型號 2SA1978-T1B-A
PNEDA編號 2SA1978-T1B-A
描述 RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 14 - 二月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1978-T1B-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1978-T1B-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2SA1978-T1B-A, 2SA1978-T1B-A數據表 (總頁數: 10, 大小: 2,375.83 KB)
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2SA1978-T1B-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡5.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)2dB @ 1GHz
增益10dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 15mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

-

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

-

MS2211

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

48V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9.3dB

功率-最大

25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

900mA

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M222

供應商設備包裝

M222

62012T

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz

增益

-

功率-最大

700mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

45 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

SOT-223

SD1244-09H

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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