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2SA949-Y,F(J

2SA949-Y,F(J

僅供參考

型號 2SA949-Y,F(J
PNEDA編號 2SA949-Y-F-J
描述 TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,240
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 29 - 四月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA949-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA949-Y,F(J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA949-Y, 2SA949-Y數據表 (總頁數: 4, 大小: 130.14 KB)
PDF2SA949-Y數據表 封面
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2SA949-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)150V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 1mA, 10A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 10mA, 5V
功率-最大800mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 10A, 3V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

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