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2SAR552PFRAT100

2SAR552PFRAT100

僅供參考

型號 2SAR552PFRAT100
PNEDA編號 2SAR552PFRAT100
描述 PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,676
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SAR552PFRAT100資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SAR552PFRAT100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SAR552PFRAT100規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡330MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 10V

功率-最大

7W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1.2A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

60W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

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