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2SAR553RTL

2SAR553RTL

僅供參考

型號 2SAR553RTL
PNEDA編號 2SAR553RTL
描述 TRANS PNP 50V 2A TSMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SAR553RTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SAR553RTL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SAR553RTL, 2SAR553RTL數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,550.27 KB)
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2SAR553RTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 35mA, 700mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 50mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡320MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-96
供應商設備包裝TSMT3

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 8mA, 4A

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 10mA, 2V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

280mV @ 250mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 5V

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工作溫度

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16A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.2A, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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