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2SB1183TL

2SB1183TL

僅供參考

型號 2SB1183TL
PNEDA編號 2SB1183TL
描述 TRANS PNP DARL 40V 2A SOT-428
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1183TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1183TL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1183TL, 2SB1183TL數據表 (總頁數: 7, 大小: 236.04 KB)
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2SB1183TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 1.2mA, 600mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝CPT3

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 500mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

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