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2SB1184TLQ

2SB1184TLQ

僅供參考

型號 2SB1184TLQ
PNEDA編號 2SB1184TLQ
描述 TRANS PNP 60V 3A SOT-428
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1184TLQ資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1184TLQ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1184TLQ, 2SB1184TLQ數據表 (總頁數: 4, 大小: 166.78 KB)
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2SB1184TLQ規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 3V
功率-最大1W
頻率-過渡70MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝CPT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 2A, 5V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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