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2SB1201S-TL-E

2SB1201S-TL-E

僅供參考

型號 2SB1201S-TL-E
PNEDA編號 2SB1201S-TL-E
描述 TRANS PNP 50V 2A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 17,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1201S-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1201S-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SB1201S-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic700mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 2V
功率-最大800mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝2-TP-FA

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 400mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4 @ 2A, 1V

功率-最大

75W

頻率-過渡

11MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 500mA, 3V

功率-最大

2W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 350mV

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頻率-過渡

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

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工作溫度

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