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2SB1203S-E

2SB1203S-E

僅供參考

型號 2SB1203S-E
PNEDA編號 2SB1203S-E
描述 TRANS PNP 50V 5A TP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1203S-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1203S-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1203S-E, 2SB1203S-E數據表 (總頁數: 10, 大小: 383.72 KB)
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2SB1203S-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic550mV @ 150mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝TP

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10A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.67A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 10A, 3V

功率-最大

5.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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5A

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2.5A, 5V

功率-最大

4W

頻率-過渡

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2mA, 6V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

80MHz

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25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

380 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

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