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2SB1203S-TL-H

2SB1203S-TL-H

僅供參考

型號 2SB1203S-TL-H
PNEDA編號 2SB1203S-TL-H
描述 TRANS PNP 50V 5A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 20 - 六月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1203S-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1203S-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1203S-TL-H, 2SB1203S-TL-H數據表 (總頁數: 10, 大小: 383.72 KB)
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2SB1203S-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic550mV @ 150mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝2-TP-FA

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 300mA, 5V

功率-最大

1.2W

頻率-過渡

175MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-126

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 2A, 5V

功率-最大

75W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供應商設備包裝

I2PAK (TO-262)

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 1V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

230V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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Through Hole

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