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2SB1260T100P

2SB1260T100P

僅供參考

型號 2SB1260T100P
PNEDA編號 2SB1260T100P
描述 TRANS PNP 80V 1A SOT-89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1260T100P資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1260T100P
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SB1260T100P規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce82 @ 100mA, 3V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 1A, 2V

功率-最大

480mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 10µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 1V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

170MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 500mA, 2V

功率-最大

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