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2SB1366F-O-BP

2SB1366F-O-BP

僅供參考

型號 2SB1366F-O-BP
PNEDA編號 2SB1366F-O-BP
描述 TRANSISTOR TO-92 MOD
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1366F-O-BP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1366F-O-BP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1366F-O-BP, 2SB1366F-O-BP數據表 (總頁數: 2, 大小: 108.67 KB)
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2SB1366F-O-BP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 500mA, 5V
功率-最大2W
頻率-過渡9MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-96

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

功率-最大

115W

頻率-過渡

2.5MHz

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 200mA, 2V

功率-最大

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