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2SB1386T100Q

2SB1386T100Q

僅供參考

型號 2SB1386T100Q
PNEDA編號 2SB1386T100Q
描述 TRANS PNP 20V 5A SOT-89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB1386T100Q資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB1386T100Q
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB1386T100Q, 2SB1386T100Q數據表 (總頁數: 5, 大小: 107.17 KB)
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2SB1386T100Q規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 100mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E-Line-3, Formed Leads

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

300nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

820 @ 500mA, 5V

功率-最大

2W

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Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-89, SOT-490

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 2V

功率-最大

800mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 2.5A, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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