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2SB906-Y(TE16L1,NQ

2SB906-Y(TE16L1,NQ

僅供參考

型號 2SB906-Y(TE16L1,NQ
PNEDA編號 2SB906-Y-TE16L1-NQ
描述 TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SB906-Y(TE16L1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SB906-Y(TE16L1,NQ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SB906-Y(TE16L1, 2SB906-Y(TE16L1數據表 (總頁數: 4, 大小: 153.87 KB)
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2SB906-Y(TE16L1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.7V @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 500mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡9MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝PW-MOLD

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500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 1V

功率-最大

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