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2SC1627A-O,PASF(M

2SC1627A-O,PASF(M

僅供參考

型號 2SC1627A-O,PASF(M
PNEDA編號 2SC1627A-O-PASF-M
描述 TRANS NPN 400MA 80V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 23 - 二月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC1627A-O資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC1627A-O,PASF(M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC1627A-O, 2SC1627A-O數據表 (總頁數: 4, 大小: 128.16 KB)
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2SC1627A-O規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)400mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 20mA, 200A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 50mA, 2V
功率-最大800mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

340mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

3.5W

頻率-過渡

400MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

260mV @ 200mA, 2.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 2A, 2V

功率-最大

1W

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

800mW

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 20mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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