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2SC2235-Y,USNHF(M

2SC2235-Y,USNHF(M

僅供參考

型號 2SC2235-Y,USNHF(M
PNEDA編號 2SC2235-Y-USNHF-M
描述 TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 8 - 三月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC2235-Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC2235-Y,USNHF(M
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC2235-Y, 2SC2235-Y數據表 (總頁數: 4, 大小: 128.05 KB)
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2SC2235-Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 100mA, 5V
功率-最大900mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 2V

功率-最大

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