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2SC2655-O(ND1,AF)

2SC2655-O(ND1,AF)

僅供參考

型號 2SC2655-O(ND1,AF)
PNEDA編號 2SC2655-O-ND1-AF
描述 TRANS NPN 2A 50V TO226-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 8 - 三月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC2655-O(ND1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC2655-O(ND1,AF)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC2655-O(ND1, 2SC2655-O(ND1數據表 (總頁數: 5, 大小: 167.4 KB)
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2SC2655-O(ND1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 500mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-92MOD

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1200 @ 10mA, 3V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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150°C (TJ)

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Through Hole

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 2mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

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10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 10V

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