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2SC3647S-TD-E

2SC3647S-TD-E

僅供參考

型號 2SC3647S-TD-E
PNEDA編號 2SC3647S-TD-E
描述 TRANS NPN 100V 2A SOT89-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC3647S-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC3647S-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SC3647S-TD-E, 2SC3647S-TD-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 331.42 KB)
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2SC3647S-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

20W

頻率-過渡

85MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

2µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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當前-集電極(Ic)(最大值)

6.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

190mV @ 180mA, 6.5A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

160MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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