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2SC4215-Y(TE85L,F)

2SC4215-Y(TE85L,F)

僅供參考

型號 2SC4215-Y(TE85L,F)
PNEDA編號 2SC4215-Y-TE85L-F
描述 RF TRANS NPN 30V 550MHZ USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 91,656
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC4215-Y(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC4215-Y(TE85L,F)
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2SC4215-Y(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡550MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)2dB ~ 5dB @ 100MHz
增益17dB ~ 23dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝USM

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-

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

11dB

功率-最大

180mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

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