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2SC4853A-4-TL-E

2SC4853A-4-TL-E

僅供參考

型號 2SC4853A-4-TL-E
PNEDA編號 2SC4853A-4-TL-E
描述 RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3MCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,398
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 26 - 三月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC4853A-4-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC4853A-4-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2SC4853A-4-TL-E, 2SC4853A-4-TL-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 353.83 KB)
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2SC4853A-4-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz
增益7dB ~ 10.5dB @ 1GHz
功率-最大90mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 1mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)15mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝3-MCP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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600mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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500mA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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100mA

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

增益

9.5dB ~ 13.5dB

功率-最大

380mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 40mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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