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2SC5084YTE85LF

2SC5084YTE85LF

僅供參考

型號 2SC5084YTE85LF
PNEDA編號 2SC5084YTE85LF
描述 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SC59
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 17,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5084YTE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5084YTE85LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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2SC5084YTE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
增益11dB
功率-最大150mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)80mA
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

11.5dB ~ 17dB

功率-最大

280mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

7GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

增益

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功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz

增益

12.5dB ~ 26.5dB

功率-最大

230mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 15mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 100mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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