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2SC5232BTE85LF

2SC5232BTE85LF

僅供參考

型號 2SC5232BTE85LF
PNEDA編號 2SC5232BTE85LF
描述 TRANS NPN 12V 0.5A S-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5232BTE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5232BTE85LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SC5232BTE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce500 @ 10mA, 2V
功率-最大150mW
頻率-過渡130MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SC-59

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100µA, 5V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 300mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30000 @ 20mA, 2V

功率-最大

625mW

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 500mA, 5V

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1W

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