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2SCR512P5T100

2SCR512P5T100

僅供參考

型號 2SCR512P5T100
PNEDA編號 2SCR512P5T100
描述 NPN 30V 2A MEDIUM POWER TRANSIST
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 2 - 七月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SCR512P5T100資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SCR512P5T100
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SCR512P5T100規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 35mA, 700mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡320MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 270mA, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

330MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 2A, 2V

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

270 @ 1mA, 6V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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