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2SD1012F-SPA

2SD1012F-SPA

僅供參考

型號 2SD1012F-SPA
PNEDA編號 2SD1012F-SPA
描述 TRANS NPN 15V 0.7A SPA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,142
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1012F-SPA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1012F-SPA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1012F-SPA, 2SD1012F-SPA數據表 (總頁數: 10, 大小: 717.38 KB)
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2SD1012F-SPA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic80mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 50mA, 2V
功率-最大250mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱3-SIP
供應商設備包裝3-SPA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 100mA, 3V

功率-最大

10W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 500mA, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 20mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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