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2SD1012G-SPA

2SD1012G-SPA

僅供參考

型號 2SD1012G-SPA
PNEDA編號 2SD1012G-SPA
描述 TRANS NPN 15V 0.7A SPA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1012G-SPA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1012G-SPA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1012G-SPA, 2SD1012G-SPA數據表 (總頁數: 10, 大小: 717.38 KB)
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2SD1012G-SPA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic80mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce280 @ 50mA, 2V
功率-最大250mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱3-SIP
供應商設備包裝3-SPA

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 300mV

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頻率-過渡

500MHz

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 500mA, 2V

功率-最大

490mW

頻率-過渡

110MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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