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2SD1766T100P

2SD1766T100P

僅供參考

型號 2SD1766T100P
PNEDA編號 2SD1766T100P
描述 TRANS NPN 32V 2A SOT-89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1766T100P資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1766T100P
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD1766T100P規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce82 @ 500mA, 3V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 50mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

60W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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