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2SD1781KFRAT146R

2SD1781KFRAT146R

僅供參考

型號 2SD1781KFRAT146R
PNEDA編號 2SD1781KFRAT146R
描述 NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 26,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 12 - 三月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1781KFRAT146R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1781KFRAT146R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SD1781KFRAT146R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 3V
功率-最大200mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SMT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

330mV @ 100mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 100mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

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1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 150mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1A, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 800mA, 3V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 200mA, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 10A, 3V

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