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2SD1803T-TL-H

2SD1803T-TL-H

僅供參考

型號 2SD1803T-TL-H
PNEDA編號 2SD1803T-TL-H
描述 TRANS NPN 50V 5A TP-FA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1803T-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1803T-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD1803T-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 150mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡180MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝2-TP-FA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 50mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

60W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.67A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 10A, 3V

功率-最大

5.5W

頻率-過渡

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 2V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

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