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2SD1816T-H

2SD1816T-H

僅供參考

型號 2SD1816T-H
PNEDA編號 2SD1816T-H
描述 TRANS NPN 100V 4A TP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,364
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1816T-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1816T-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1816T-H, 2SD1816T-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 502.12 KB)
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2SD1816T-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 500mA, 5V
功率-最大1W
頻率-過渡180MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供應商設備包裝TP

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 4A, 3V

功率-最大

-

頻率-過渡

4MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 6V

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250mW

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 400mA, 1.6A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 500mA, 5V

功率-最大

45W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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