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2SD1858TV2P

2SD1858TV2P

僅供參考

型號 2SD1858TV2P
PNEDA編號 2SD1858TV2P
描述 TRANS NPN 32V 1A ATV
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,376
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1858TV2P資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1858TV2P
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD1858TV2P規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)32V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce82 @ 100mA, 3V
功率-最大1W
頻率-過渡150MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱3-SIP
供應商設備包裝ATV

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

210 @ 2mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5A, 4V

功率-最大

150W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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4.1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

325mV @ 410mA, 4.1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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