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2SD2150-R-TP

2SD2150-R-TP

僅供參考

型號 2SD2150-R-TP
PNEDA編號 2SD2150-R-TP
描述 TRANSISTOR TO-92 MOD
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 3,618
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2150-R-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2150-R-TP
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD2150-R-TP, 2SD2150-R-TP數據表 (總頁數: 3, 大小: 689.95 KB)
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2SD2150-R-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 100mA, 2V
功率-最大500mW
頻率-過渡290MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89

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50mA

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55V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

260 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

500 @ 10mA, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 5V

功率-最大

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