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2SD2167T100P

2SD2167T100P

僅供參考

型號 2SD2167T100P
PNEDA編號 2SD2167T100P
描述 TRANS NPN 31V 2A SOT-89
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2167T100P資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2167T100P
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD2167T100P, 2SD2167T100P數據表 (總頁數: 1, 大小: 54.73 KB)
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2SD2167T100P規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)31V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce82 @ 500mA, 3V
功率-最大2W
頻率-過渡100MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝MPT3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 10V

功率-最大

400mW

頻率-過渡

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Through Hole

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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