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2SD2654TLV

2SD2654TLV

僅供參考

型號 2SD2654TLV
PNEDA編號 2SD2654TLV
描述 TRANS NPN 50V 0.15A SOT-416
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2654TLV資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2654TLV
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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2SD2654TLV規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)300nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce820 @ 1mA, 5V
功率-最大150mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝EMT3

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NPN

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 1A, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 100mA, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 2A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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