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2SD2657TL

2SD2657TL

僅供參考

型號 2SD2657TL
PNEDA編號 2SD2657TL
描述 TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,250
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD2657TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD2657TL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2SD2657TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 100mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡300MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-96
供應商設備包裝TSMT3

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200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 15mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 1mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

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Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

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