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2SJ360(F)

2SJ360(F)

僅供參考

型號 2SJ360(F)
PNEDA編號 2SJ360-F
描述 MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SJ360(F)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SJ360(F)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2SJ360(F)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs730mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds155pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PW-MINI
包裝/箱TO-243AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

110mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 56µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

77pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 32.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.63mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

141nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5623pF @ 400V

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

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