Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

2SJ360(F)

2SJ360(F)

僅供參考

型號 2SJ360(F)
PNEDA編號 2SJ360-F
描述 MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 18 - 三月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SJ360(F)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SJ360(F)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
2SJ360(F), 2SJ360(F)數據表 (總頁數: 6, 大小: 209.31 KB)
PDF2SJ360(TE12L數據表 封面
2SJ360(TE12L數據表 頁面 2 2SJ360(TE12L數據表 頁面 3 2SJ360(TE12L數據表 頁面 4 2SJ360(TE12L數據表 頁面 5 2SJ360(TE12L數據表 頁面 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

在PNEDA,我們致力於通過快速可靠地為客戶提供高質量的電子組件來成為行業領導者。

我們的方法是建立在向客戶證明以下三個主要優勢的基礎上的:

  • 及時響應

    我們的團隊會迅速響應您的要求,並立即開始尋找您的零件。

  • 保證質量

    我們的質量控制流程在確保可靠性和性能的同時,防止假冒產品。

  • 全局訪問

    我們遍布全球的受信任資源網絡使我們能夠找到並交付您所需的特定零件。

Hot search vocabulary

  • 2SJ360(F) Datasheet
  • where to find 2SJ360(F)
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ360(F)
  • 2SJ360(F) PDF Datasheet
  • 2SJ360(F) Stock

  • 2SJ360(F) Pinout
  • Datasheet 2SJ360(F)
  • 2SJ360(F) Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • 2SJ360(F) Price
  • 2SJ360(F) Distributor

2SJ360(F)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs730mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds155pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PW-MINI
包裝/箱TO-243AA

您可能感興趣的產品

SIPC30N60CFDX1SA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

STD6NM60N

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ II

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

920mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPP90R500C3XKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 740µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO220-3-1

包裝/箱

TO-220-3

IPW60R031CFD7XKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ CFD7

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 32.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.63mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

141nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5623pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO247-3

包裝/箱

TO-247-3

SI1013X-T1-GE3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

250mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-89-3

包裝/箱

SC-89, SOT-490

最近成交

AD5934YRSZ

AD5934YRSZ

Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

SRV05-4.TCT

SRV05-4.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 17.5V SOT23-6

EEE-FK1J220P

EEE-FK1J220P

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 63V SMD

LM1458M

LM1458M

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

DG641DY

DG641DY

Vishay Siliconix

IC VIDEO SWITCH SPST 16SOIC

USB3340-EZK-TR

USB3340-EZK-TR

Microchip Technology

IC TRANSCEIVER 1/1 32QFN

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

XC3S500E-4VQG100I

XC3S500E-4VQG100I

Xilinx

IC FPGA 66 I/O 100VQFP

IHLP6767GZER8R2M11

IHLP6767GZER8R2M11

Vishay Dale

FIXED IND 8.2UH 21A 8.1 MOHM SMD

KSR223GLFG

KSR223GLFG

C&K

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.01A 32V

GD25Q80CSIG

GD25Q80CSIG

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH