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2SK1828TE85LF

2SK1828TE85LF

僅供參考

型號 2SK1828TE85LF
PNEDA編號 2SK1828TE85LF
描述 MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 213,594
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK1828TE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK1828TE85LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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2SK1828TE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5.5pF @ 3V
FET功能-
功耗(最大值)200mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-59
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

785pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

225nC @ 10V

Vgs(最大)

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