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2SK1829TE85LF

2SK1829TE85LF

僅供參考

型號 2SK1829TE85LF
PNEDA編號 2SK1829TE85LF
描述 MOSFET N-CH 20V 0.05A USM
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK1829TE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK1829TE85LF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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2SK1829TE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5.5pF @ 3V
FET功能-
功耗(最大值)100mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70
包裝/箱SC-70, SOT-323

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

182mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

850mW (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

71nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

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