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2SK2887TL

2SK2887TL

僅供參考

型號 2SK2887TL
PNEDA編號 2SK2887TL
描述 MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK2887TL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK2887TL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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2SK2887TL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs900mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)20W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝CPT3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 51A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3910pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 77W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8600pF @ 25V

FET功能

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 102A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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63W (Tc)

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