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2SK2989(TPE6,F,M)

2SK2989(TPE6,F,M)

僅供參考

型號 2SK2989(TPE6,F,M)
PNEDA編號 2SK2989-TPE6-F-M
描述 MOSFET N-CH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SK2989(TPE6資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SK2989(TPE6,F,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
2SK2989(TPE6, 2SK2989(TPE6數據表 (總頁數: 6, 大小: 237.37 KB)
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2SK2989(TPE6規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92MOD
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

145mOhm @ 10A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1035pF @ 700V

FET功能

-

功耗(最大值)

176W (Tc)

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安裝類型

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14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

984.7pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

322nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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29nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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